法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-07-11
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F1/00 公开日:20100929 申请日:20090325
发明专利申请公布后的视为撤回
2010-11-17
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/00 申请日:20090325
实质审查的生效
2010-09-29
公开
公开
机译: 去除光刻胶掩模的方法,该光刻胶掩模用于在低K碳掺杂的氧化硅介电材料中制作通孔,并去除通孔形成中的蚀刻残留物并去除光刻胶掩模
机译: 去除光刻胶掩模的方法,该光刻胶掩模用于在低K碳掺杂的氧化硅介电材料中制作通孔,并去除通孔形成中的蚀刻残留物并去除光刻胶掩模
机译: X射线掩模,X射线掩模的制造以及用于X射线光刻的设备和方法