用于2族金属氧化物膜的沉积的2族金属前体

摘要

本发明涉及含2族金属的多齿β-酮亚胺酸盐前体以及包括含2族金属的多齿β-酮亚胺酸盐前体的组合物，其中多齿β-酮亚胺酸盐前体将烷氧基引入到该分子的亚胺基部分中。化合物和组合物可用于采用化学蒸汽沉积(CVD)方法在基片如硅、金属氮化物、金属氧化物和其它金属层上制造含金属的膜。