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一种生长AlInN单晶外延膜的方法

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摘要

本发明公开了一种用氮气、氢气混合气作为载气生长高质量AlInN单晶外延膜的方法，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温至生长温度，同时通入三甲基铟TMIn、三甲基铝TMAl、氨气NH

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-12-26

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B25/02 申请公布日:20100616 申请日:20081112

发明专利申请公布后的驳回
2010-09-01

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B25/02 申请日:20081112

实质审查的生效
2010-06-16

公开

公开

1. 一种生长AlInN单晶外延膜的方法 [P] . 中国专利： CN101736398A . 2010-06-16
2. 一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法 [P] . 中国专利： CN100395379C . 2008.06.18
3. A method for manufacturing a silicon single crystal substrate for utilizing epitaxial layer growth (Method for manufaturing a single crystal substrate for use in epitaxial layer growth) [P] . 韩国专利： KR19980019010A . 1998-06-05

机译：一种利用外延层生长的硅单晶衬底的制造方法（制造用于外延层生长的单晶衬底的方法）
4. Method for producing single crystal film of AlN material and substrate for epitaxial growth of single crystal film of AlN material [P] . JP2021518324A . 2021-08-02

机译： ALN材料单晶膜外延生长的ALN材料和底物的单晶膜的制造方法
5. Base material on which single-crystal diamond is grown comprised of a base substrate, bonded single-crystal MgO layer, and heteroepitaxial film, and method for manufacturing a single-crystal diamond substrate on the base material [P] . 美国专利： US9752255B2 . 2017-09-05

机译：在其上生长单晶金刚石的基础材料包括基础衬底，键合的单晶MgO层和异质外延膜，以及在该基础材料上制造单晶金刚石衬底的方法