硅片表面缺陷的激光扫描散射检测与分类系统

摘要

本发明公开了一种硅片表面缺陷的激光扫描散射检测与分类系统。待测硅片被放置在高稳定硅片工作平台上，采用一束激光从倾斜方向聚焦照射待测硅片的平面表面，由缺陷所产生的散射光在沿接近硅片表面法线的方向和接近平行硅片表面的方向分别被两对平凸透镜进行圆形窄通道和环形宽通道双通道收集，进而被两个光电探测器探测到。由两个光电探测器分别测得双通道光电信号的强度及其相对比值并与一个事先设定的阈值进行比较，可以对硅片表面数十纳米量级的缺陷进行分类检测。