直拉硅单晶炉的硅熔体液面位置及单晶棒直径的测量方法

摘要

本发明涉及一种硅单晶生产中的测量方法，旨在提供一种基于CCD测量的直拉硅单晶炉的硅熔体液面位置及单晶棒直径的测量方法。该方法包括：使用CCD摄像头获取单晶棒与硅熔体液面相交形成的光圈图像信号，并将信号经过模拟数字转换后传送至计算机系统；提取光圈图像中的图像边缘，得到光圈的椭圆形的像素坐标图；将像素坐标图椭圆形的边缘拟合成正圆；获取该正圆中心点的像素坐标位置；获取硅熔体液面高度数值和单晶棒直径的数值。通过本发明可以实时监控熔体液面的相对位置的变化，这一位置变化会对应CCD检测影像的像素变化，通过图像处理软件分析像素值增减来判断液面的位置变化，通过获得的液面位置值就可以精确控制液面位置值。