一种GaN基量子阱红光LED结构的生长方法

摘要

一种GaN基量子阱红光LED结构的生长方法，利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长系统，得到GaN基GaN/InGaN量子阱红光LED结构材料，其中量子阱中InxGa1-xN材料In组份控制组份x在0.1到0.5之间。本发明实现了III族氮化物的红光长波长发光，针对高In组份InGaN材料生长困难的问题，本发明通过在MOCVD系统中，对有机镓源和铟源的流量，生长温度、时间，氨气流量，N与Ga之摩尔比等条件的控制和调整，解决了这一问题。本发明整个生长过程中，通过对温度和反应物流量比等条件的严格控制，确定量子阱的发光波长，实现长波长发光，得到GaN基GaN/InGaN量子阱红光LED结构。