半导体装置及制造具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法

摘要

本发明公开一种半导体装置及制造具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法，其中该方法包括：于一半导体基底上形成一高介电常数介电材料层；于该高介电常数介电材料层上形成一第一金属层；于该第一金属层上形成一硅层；图案化该硅层、第一金属层及高介电常数介电材料层以形成具有一栅极长度小于50nm的栅极堆叠；以及进行硅化工艺以将该硅层完全转变成一硅化电极。本发明提供具有金属栅极堆叠的半导体装置，其中当硅层转变成硅化层时，金属层混合硅层，且在栅极堆叠中造成应力。本发明中，应力与功函数可分开设计并适当的调整，本发明也消除了一般方法中由应力对高介电常数介电材料与基底所造成的损坏。