用于补偿MOSFET集成电路中工艺诱生性能变化的方法

摘要

一种用于补偿MOSFET集成电路中阈电压和驱动电流的工艺诱生变化的自动化方法。方法的第一步骤是从阵列中选择用于分析的晶体管。方法按照需要在阵列的晶体管间循环。接下来分析所选晶体管的设计，包括确定由邻区布局引起的阈电压变化的步骤；确定由邻区布局引起的驱动电流变化的步骤。方法随后继续通过改变晶体管栅极的长度而尝试补偿任何所确定的变化。方法能够进一步包括通过改变触点间距而识别补偿的任何缺点的步骤。