首页> 中国专利> 栅电介质层形成过程中使用的温度控制系统及方法

栅电介质层形成过程中使用的温度控制系统及方法

摘要

本发明提供了栅电介质层形成过程中使用的温度控制系统及方法,以提高形成栅电介质层的成功率。该系统包括:温度保持单元,用于将温度保持在预定值,所述温度能够影响形成的栅电介质层的性质;当前温度获得单元,用于在栅电介质层形成过程中,获得当前温度;判断单元,用于判断该当前温度是否处于预定范围内;以及控制单元,用于在未处于预定范围内的情况下,控制温度保持单元,使温度处于该预定范围内。

著录项

  • 公开/公告号CN101667041A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-03-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200810042462.4

  • 发明设计人 周波;陈嵩;张卫民;施训志;

    申请日2008-09-03

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市张江路18号

  • 入库时间 2023-12-17 23:35:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-07-25

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G05D23/19 公开日:20100310 申请日:20080903

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-04-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05D23/19 申请日:20080903

    实质审查的生效

  • 2010-03-10

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号