公开/公告号CN101667041A
专利类型发明专利
公开/公告日2010-03-10
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN200810042462.4
申请日2008-09-03
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人屈蘅
地址 201203 上海市张江路18号
入库时间 2023-12-17 23:35:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-07-25
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G05D23/19 公开日:20100310 申请日:20080903
发明专利申请公布后的视为撤回
2010-04-28
实质审查的生效 IPC(主分类):G05D23/19 申请日:20080903
实质审查的生效
2010-03-10
公开
公开
机译: 一种用于集成电路的一次性可编程存储器件,包括:形成在有源区和隔离层上的浮栅;形成在浮栅上的栅间电介质层;以及形成在栅间电介质层上的控制栅
机译: 非易失性存储器件的制造包括在浮栅上形成电介质层,该浮栅通过去除层间电介质图案之间的模制图案而暴露,并在浮栅上形成控制栅。
机译: 氧氮化物栅电介质,特别是用于半导体存储设备的氧氮化物栅电介质,通过硅基板反应或CVD形成氧氮化物层,然后进行反氧化以形成中间二氧化硅层