磷化铟基共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管单片集成制造方法

摘要

一种磷化铟基共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管单片集成制造方法，其基本步骤是在半导体材料磷化铟(InP)衬底上用分子束外延设备依次生长高电子迁移率晶体管和共振遂穿二极管材料；在外延片的表面用电子束光刻，光学光刻和湿法腐蚀形成共振遂穿二极管的台面；用光学光刻和湿法腐蚀实现器件之间的隔离，形成隔离沟；用金属欧姆接触制作共振遂穿二极管的上电极、下电极和高电子迁移率晶体管的源极、漏极，然后进行退火；用电子束光刻、干法刻蚀、湿法腐蚀制作栅极；通过干法刻蚀、光学光刻和电子束蒸发制作金属接线柱；最后通过苯并环丁烯平坦化工艺和金属布线把共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管互联起来。本发明具有工艺简单，可操作性强，成品率高等特点，具有很好的实用性。