高压MOS器件浅沟槽区域的制程方法

摘要

本发明提供了一种高压MOS器件浅沟槽区域的制程方法，其特征在于：步骤1：在硅衬底表面定义出需要进行浅沟槽隔绝蚀刻的区域；步骤2：对定义出来的区域采用高密度等离子体进行干法蚀刻；步骤3：高温湿润条件下，在浅沟槽表面生成牺牲氧化层；步骤4：采用配比比例1∶100的氢氟酸溶液作为蚀刻剂将牺牲氧化层全部蚀刻掉；步骤5：蚀刻后的浅沟槽表面进行干法氧化，生长出规定厚度的氧化层，并进行高温退火处理。采用本设计的浅沟槽区域的制程方法，藉由牺牲氧化层的生成及缓慢蚀刻，改善了浅沟槽的折角处氧化层厚度及平滑度的均匀性，使整个高压MOS器件的可靠性得到大幅提高。