公开/公告号CN101584028A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-11-18
原文格式PDF
申请/专利权人 NXP股份有限公司;
申请/专利号CN200780014643.X
发明设计人 斯丹·科尔迪克;
申请日2007-04-24
分类号H01L21/321;C09G1/02;
代理机构上海翰鸿律师事务所;
代理人李佳铭
地址 荷兰艾恩德霍芬
入库时间 2023-12-17 23:01:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-08-31
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/321 公开日:20091118 申请日:20070424
发明专利申请公布后的视为撤回
2010-01-13
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-11-18
公开
公开
机译: 贯穿电极的形成方法以及使用相同方法制造半导体器件的方法,以及由此获得的半导体器件
机译: 半导体器件的制造方法,半导体器件的制造工艺以及由此获得的半导体器件。
机译: 镍合金硅化物工艺,使用其的半导体器件的制造方法,由此形成的镍合金硅化物层以及使用该半导体器件制造的半导体器件