公开/公告号CN101573775A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-11-04
原文格式PDF
申请/专利权人 E.I.内穆尔杜邦公司;
申请/专利号CN200780042812.0
发明设计人 秋元英树;
申请日2007-11-19
分类号H01J9/02;H01J9/24;H01J17/49;G02F1/00;H01L31/00;
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人朱黎明
地址 美国特拉华州
入库时间 2023-12-17 22:53:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-05-18
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J9/02 公开日:20091104 申请日:20071119
发明专利申请公布后的视为撤回
2010-01-13
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-11-04
公开
公开
机译: 用于形成膜的组合物,抗蚀剂组合物,辐射敏感组合物,无定形膜制造方法,抗蚀剂图案形成方法,用于光刻,电路图案形成方法和用于光刻薄膜的底层薄膜的制造方法,用于形成光学构件的组合物, 用于形成膜,抗蚀剂树脂,辐射敏感树脂的树脂和用于形成光刻底层薄膜的树脂
机译: 用于制造相同化合物的组合物和方法,用于形成的光学组分的组合物,用于光刻的膜形成组合物,抗蚀剂组合物,用于形成抗蚀剂图案的方法,用于制造辐射图案的组合物,用于制造膜的胶片,用于制造薄膜的方法,用于胶片的方法形成下层膜,用于光刻的下层膜的制造方法,抗蚀剂图案形成方法,电路图案形成方法和精制方法
机译: 氧化物材料,基质形成物,图案形成方法,用于转印的转印模板的制造方法,用于记录介质的制造方法,用于转印的转印模板和用于录音的介质