在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法

摘要

本发明公开了一种在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法，该方法包括：在场效应管衬底上涂一层5214原胶，采用阴版光刻曝光后，将ZnO纳米线沉积到衬底上，不去胶，再涂一层5214原胶，再曝光，蒸发Ti/Au源漏金属，利用源漏pad金属将ZnO纳米线固定住，从而实现ZnO纳米线的固定。由于本发明采用了双层胶光刻技术，所以解决了ZnO纳米线场效应晶体管制备过程中纳米线从衬底脱落的问题，避免器件失效。