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用于优化非晶硅的结晶的系统和方法

摘要

在被配置为使玻璃基底上的硅层退火的薄光束定向结晶系统中,使用特殊的激光光束分布,所述激光光束分布在一个边缘具有强度峰值。该系统完全熔融硅膜的一空间受控的部分,导致横向晶体生长。通过推进基底或者激光器某个步长并且使硅层经受来自激光器的连续逐次“照射”,使整个硅层结晶。横向晶体生长在熔融区域的中心造成凸起,该凸起必须被重新熔融。因此,所述步长必须允许在连续逐次照射之间即熔融区之间具有足够的重叠,以确保凸起被熔融。这要求步长小于光束宽度的一半。较小的步长减小吞吐率而增加成本。根据本文描述的系统和方法所使用的特殊的激光分布可以增加步长,并且由此增加吞吐率且降低成本。

著录项

  • 公开/公告号CN101517135A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-08-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TCZ私营有限公司;

    申请/专利号CN200780029667.2

  • 申请日2007-07-23

  • 分类号C30B35/00(20060101);

  • 代理机构北京嘉和天工知识产权代理事务所;

  • 代理人严慎

  • 地址 新加坡新加坡城

  • 入库时间 2023-12-17 22:31:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-08-11

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B35/00 公开日:20090826 申请日:20070723

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-08-26

    公开

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