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利用层转移工艺制造太阳能电池的方法和结构

摘要

本发明公开了一种用于层转移工艺的可重复使用的硅衬底装置。该装置具有可重复使用的衬底,其具有表面区域、解理区域、以及总厚度的材料。总厚度的材料比待去除的第一厚度的材料大至少N倍。在一种特定的实施方式中,待去除的第一厚度的材料位于表面区域和解理区域之间,因而N是大于约10的整数。该装置还具有卡盘元件,适于将操作衬底元件保持在原位。该卡盘元件被设置为支持操作衬底,以便于将操作衬底结合至待去除的第一厚度的材料。在优选的实施方式中,该装置具有可操作地结合至卡盘元件的机械压紧装置。该机械压紧装置适于提供力,以使操作衬底结合至待去除的第一厚度的材料。

著录项

  • 公开/公告号CN101512721A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-08-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅源公司;

    申请/专利号CN200780011167.6

  • 发明设计人 弗兰乔斯·J·亨利;

    申请日2007-04-04

  • 分类号H01L21/00;H01L25/00;H01L31/00;H02N6/00;

  • 代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人章社杲

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 22:27:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-04-20

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/00 公开日:20090819 申请日:20070404

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-10-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-08-19

    公开

    公开

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