首页> 中国专利> 一种改良的非接触式位移测量方法及使用该方法的传感器

一种改良的非接触式位移测量方法及使用该方法的传感器

摘要

本发明涉及一种改良的非接触式位移测量方法,其在工作过程中抗干扰性强,且其测量精度高,为此,本发明还提供了使用该方法的传感器。其包括基板、外围电路,其特征在于:所述基板上安装有均匀排布的巨磁电阻元件阵列,所述轨道结阵列上方安装有与巨磁电阻元件阵列平行的轨道,所述轨道上安装有激光光源,所述基板连接外围电路,所述巨磁电阻元件通过基板连接所述外围线路。所述巨磁电阻元件内通过脉冲电流,所述脉冲电流小于所述巨磁电阻元件自由层翻转的临界值,激光光源发出激光光束照射所述巨磁电阻元件,通脉冲电流的巨磁电阻元件受到激光光束照射其电阻发生变化,电阻的变化通过巨磁电阻元件外围的电路显示出来,从而确定发生电阻变化的巨磁电阻元件的位置信息,从而得出与激光光源位置相对应的所测对象的位移或长度。

著录项

  • 公开/公告号CN101509752A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-08-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡市纳微电子有限公司;

    申请/专利号CN200910030263.6

  • 发明设计人 王磊;

    申请日2009-03-24

  • 分类号G01B7/02(20060101);

  • 代理机构无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人顾吉云

  • 地址 214028 江苏省无锡市新区长江路7号

  • 入库时间 2023-12-17 22:27:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-11-06

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01B7/02 申请公布日:20090819 申请日:20090324

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2012-04-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01B7/02 申请日:20090324

    实质审查的生效

  • 2009-08-19

    公开

    公开

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