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可增加强度的芯片及其制造方法

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摘要

本发明公开了一种可增加强度的芯片，包括一基底、一金属结构以及一保护层。基底具有一第一表面以及一第二表面。第一表面相对于第二表面。金属结构设置于第一表面。保护层设置于第二表面。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-02-02

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L23/00 公开日:20090729 申请日:20080124

发明专利申请公布后的视为撤回
2009-09-23

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-07-29

公开

公开

1. 可增加强度的芯片及其制造方法 [P] . 中国专利： CN101494203A . 2009-07-29
2. 一种高强度裸芯片埋入式电路板的制造方法 [P] . 中国专利： CN107072043A . 2017-08-18
3. Semiconductor chip breaking strength increasing method for use during manufacturing of chips, involves applying coating on backside of wafer for protecting chips from physical or chemical effects, where thickness of coating is large [P] . 德国专利： DE102004008475A1 . 2005-09-29

机译：在芯片制造过程中使用的提高半导体芯片断裂强度的方法，该方法包括在晶圆背面上涂覆涂层，以保护芯片免受物理或化学作用的影响，涂层厚度较大
4. BACKLIGHT UNIT CAPABLE OF INCREASING LIGHT INTENSITY AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF [P] . 韩国专利： KR20120113136A . 2012-10-12

机译：可增加光强度的背光单元及其制造方法
5. STAMPER CAPABLE OF INCREASING STRENGTH AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF [P] . 韩国专利： KR20120115617A . 2012-10-19

机译：可增加强度的压模机及其制造方法