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碳纳米管成长用基板、碳纳米管成长方法、碳纳米管成长用催化剂的粒径控制方法及碳纳米管直径的控制方法

摘要

本发明涉及具有使用电弧等离子枪进行微粒化的催化剂层的碳纳米管成长用基板。在该催化剂层上用热CVD法或遥控等离子CVD法使CNT成长。通过电弧等离子枪的发射数控制CNT成长用催化剂的粒径。在控制该催化剂粒径的催化剂层上用热CVD法或遥控等离子CVD法使CNT成长,控制其内径或外径。

著录项

  • 公开/公告号CN101484383A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-07-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社爱发科;

    申请/专利号CN200780025057.5

  • 发明设计人 中野美尚;山崎贵久;村上裕彦;

    申请日2007-05-29

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人陈昕

  • 地址 日本神奈川

  • 入库时间 2023-12-17 22:14:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-10-30

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B31/02 申请公布日:20090715 申请日:20070529

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2009-09-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-07-15

    公开

    公开

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