法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-01-05
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/78 公开日:20090610 申请日:20071130
发明专利申请公布后的视为撤回
2009-08-05
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-06-10
公开
公开
机译: 具有垂直结构和制造垂直型半导体器件的沟道型垂直型MOS晶体管和静态感应晶体管及MOS晶体管
机译: 隔离的高性能VDMOS晶体管和高压P型沟道MOS晶体管的结构均与CMOS,NPN和PNP晶体管以及二极管进行小泄漏集成
机译: MOSFET例如N沟道MOSFET,一种集成电路的制造方法,涉及在存在介电材料的情况下加热晶体管,并在晶体管加热之后在晶体管上形成接触结构。