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使用搀杂物和具有受控晶体结构的多层硅薄膜来调整多晶硅薄膜和周围层的应力

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摘要

在某些实施例中提供了一种用来形成多层硅薄膜的方法。在处理室中放置衬底。通过使包含硅源气体的第一处理气体流进处理室在衬底上形成非晶硅薄膜。通过在第一温度下使包含硅源气体和第一稀释气体混合物的第一处理气体混合物流进沉积室在非晶硅薄膜上形成多晶硅薄膜，第一稀释气体混合物包含H

著录项

  • 公开/公告号CN101436533A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-05-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料股份有限公司;

    申请/专利号CN200810214397.9

  • 发明设计人 马毅;凯文·L·卡宁厄姆;马吉德·阿里·福德;

    申请日2008-09-11

  • 分类号H01L21/205;H01L21/285;H01L29/40;H01L29/78;

  • 代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐金国

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 22:01:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-16

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/205 申请公布日:20090520 申请日:20080911

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-02-15

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/205 变更前: 变更后: 申请日:20080911

    著录事项变更

  • 2009-07-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-05-20

    公开

    公开

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