在超高密度沟槽型功率器件设计中实现分阱结构的方法

摘要

在超高密度沟槽型功率器件设计中实现分阱(Split Well)结构的新型方法，有效地解决了分阱结构21与超高密度设计之间的矛盾。该方法利用杂质补偿原理，透过接触孔22进行高能量N型离子注入18和快速退火，在阱区7中央的底部形成分阱结构21。本工艺通过将接触孔22过刻蚀至硅表面23以下，有效地降低了后续N型离子注入18所需的能量，减少了阱区7的注入损伤，降低了器件漏－源泄漏电流。此外，通过沿Z方向实现分阱结构21，可以获得更高的集成度。采用该新型分阱技术，器件导通电阻、坚固性、体二极管反向恢复特性以及器件长期可靠性之间的折中设计，得到了极大地改进。