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磁阻效应型薄膜磁头及其制造方法

摘要

本发明提供一种可以将磁隙长度高精度地优化的具有CPP结构的磁阻效应元件的磁阻效应型薄膜磁头及其制造方法。在该磁阻效应型薄膜磁头的制造方法中,在下部屏蔽层之上,成膜以盖层为上层的磁阻效应层叠膜,在该盖层之上成膜由软磁性材料构成的软磁性层之后,进行微细加工,接下来,将在其之上成膜有软磁性层的盖层设为上层的上述微细加工后的磁阻效应层叠膜之上至少形成了绝缘层之后,去除形成在上述软磁性层之上的绝缘层的一部分而使上述软磁性层露出,在所露出的上述软磁性层的表面上形成上部屏蔽层。

著录项

  • 公开/公告号CN101379557A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 佳能安内华股份有限公司;

    申请/专利号CN200780004346.7

  • 申请日2007-02-23

  • 分类号G11B5/39(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人郭放

  • 地址 日本神奈川

  • 入库时间 2023-12-17 21:32:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-11-23

    专利权的视为放弃 IPC(主分类):G11B5/39 放弃生效日:20090304 申请日:20070223

    专利权的视为放弃

  • 2009-04-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-03-04

    公开

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