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填充高纵横比沟槽隔离区的方法和所得的结构

摘要

一种填充高纵横比沟槽隔离区的方法,其实现较好的间隙填充特性,且避免所述隔离区中的孔隙和接缝。所述方法包含以下步骤:形成沟槽;在所述沟槽的底部和侧壁上形成氧化物层;蚀刻所述氧化物层以使所述沟槽的所述底部暴露;在所述沟槽的所述底部上提供外延硅层;以及在所述外延硅层上提供高质量氧化物化学气相沉积层。

著录项

  • 公开/公告号CN101375387A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-02-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN200780003650.X

  • 发明设计人 加罗·J·戴德里安;

    申请日2007-01-03

  • 分类号H01L21/763;

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王允方

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2023-12-17 21:27:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-03-23

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/763 公开日:20090225 申请日:20070103

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-04-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-02-25

    公开

    公开

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