公开/公告号CN101350308A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-01-21
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN200710166451.2
申请日2007-11-13
分类号H01L21/336(20060101);H01L21/265(20060101);H01L21/24(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构11019 北京中原华和知识产权代理有限责任公司;
代理人寿宁;张华辉
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
入库时间 2023-12-17 21:19:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-01-05
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 公开日:20090121 申请日:20071113
发明专利申请公布后的视为撤回
2009-05-06
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-01-21
公开
公开
机译: 制造半导体装置的方法,该方法能够通过增加源极区和漏极区的界面上的源极和漏极的浓度来降低接触电阻
机译: 用于制造印刷电路板的有机场效应晶体管的方法,包括通过半导体芯在源极区和漏极区之间的区域中形成半导体层,其中该区域相对于氧化f暴露。
机译: 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法,涉及在沟槽的侧面附近的源极和漏极区域以及每个沟槽的基极区域附近的杂质离子注入。