反应室性能分析方法以及相关的性能分析系统

摘要

本发明提供一种反应室性能分析方法，适用于晶片制造系统，其中晶片制造系统有至少一站台，该站台有至少一机台，该机台包括多个反应室。反应室性能分析方法包括下列步骤。提供既定对照表，其中既定对照表记录有关于机台的机台参数(ED)数据，且该机台参数(ED)数据中有对应的反应室信息。接着，由第一界面输入欲检查的至少一站别或一机台选择。依据既定对照表以及选取的站别或机台，在第一界面上产生至少一对应的显示结果。接着，利用至少一显示结果，判别并分析反应室的性能。