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存储器装置的制造方法和相变化层的蚀刻方法

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摘要

一种存储器装置的制造方法。首先，提供基底，形成介电层于基底上。其后，形成掺杂锡的相变化层于介电层上，形成图案化掩模层于掺杂锡的相变化层上。接下来，以图案化掩模层为掩模，并用以氟为基础且添加氯的蚀刻剂蚀刻掺杂锡的相变化层，以图案化掺杂锡的相变化层。然后，形成电极，电连接图案化的相变化层。

公开/公告号CN101295764A

专利类型发明专利
公开/公告日2008-10-29

原文格式PDF
申请/专利权人财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司;
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申请/专利号CN200710102125.5
发明设计人陈颐承;
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申请日2007-04-29
分类号H01L45/00;
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波
地址中国台湾新竹县
入库时间 2023-12-17 20:58:06

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-07-21

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L45/00 公开日:20081029 申请日:20070429

发明专利申请公布后的视为撤回
2008-12-24

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-10-29

公开

公开

1. 存储器装置的制造方法和相变化层的蚀刻方法 [P] . 中国专利： CN101295764A . 2008-10-29
2. 相变化存储器材料、相变化存储器装置及其制造方法 [P] . 中国专利： CN106257700B . 2019.06.14
3. PHASE CHANGE MEMORY DEVICE INCLUDING A NANO-WIRE NETWORK SINGLE ELEMENT-BASED PHASE CHANGE LAYER IN A POROUS OXIDE LAYER AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, CAPABLE OF SIMULTANEOUSLY FORMING A SINGLE ELEMENT-BASED PHASE CHANGE LAYER AND A NANO-WIRE NETWORK PHASE CHANGE LAYER [P] . 韩国专利： KR20100137627A . 2010-12-31

机译：相变存储装置，包括多孔氧化层中基于纳米线网络的单元素相变层，以及制造该相变存储器的方法，能够同时形成基于单元素的相变层和纳米相层
4. MEMORY ELEMENT INCLUDING A RESISTIVE CHANGE LAYER, A MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND A MEMORY DEVICE [P] . 韩国专利： KR20120065933A . 2012-06-21

机译：包括电阻变化层的存储器元件，其制造方法以及存储器装置
5. LIGHT EMITTING DEVICE WITH A PLURALITY OF LIGHT EMITTING CELLS AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF, CAPABLE OF PREVENTING A REFLECTIVE METAL LAYER FROM BEING CHANGED DUE TO ETCHING OR OXIDATION [P] . 韩国专利： KR20100074352A . 2010-07-02

机译：具有多个发光单元的发光装置及其制造方法，能够防止反射金属层由于蚀刻或氧化而发生变化。