法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-09-14
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B23/00 公开日:20081001 申请日:20071225
发明专利申请公布后的驳回
2008-11-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-10-01
公开
公开
机译: N掺杂的P型ZnO薄膜的生长方法
机译: 电感耦合等离子体化学气相沉积ICP-CVD设备,使用ICP-CVD设备制造没有任何掺杂工艺的P型ZnO薄膜的系统和方法以及光功率化合物半导体
机译: 电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)设备,系统和方法,用于通过使用ICP-CVD设备和光功率复合半导体在没有任何掺杂过程的情况下制造p型Zno薄膜