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中性pH条件双电位阶跃电沉积制备铜铟硒薄膜的方法

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摘要

本发明公开了一种中性pH条件双电位阶跃电沉积制备铜铟硒薄膜的方法，步骤为：(1)配制电沉积液，pH值为6.5－7.0；(2)采取双电位阶跃方式镀膜；(3)将薄膜于空气下室温干燥；(4)将薄膜于氩气氛下400℃热处理0.5小时，得到黄铜矿结构的CuInSe

著录项

  • 公开/公告号CN101262027A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN200810052815.9

  • 发明设计人 靳正国;李成杰;杨靖霞;王文静;

    申请日2008-04-18

  • 分类号H01L31/18;

  • 代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人曹玉平

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2023-12-17 20:45:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-09-22

    专利权的视为放弃 IPC(主分类):H01L31/18 放弃生效日:20080910 申请日:20080418

    专利权的视为放弃

  • 2008-10-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-09-10

    公开

    公开

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