一种抑制水热条件下ZnO晶体－c轴方向生长的方法

摘要

本发明将公开一种抑制水热条件下ZnO晶体－c轴方向生长的方法，是在利用水热法进行ZnO晶体的生长之前，对ZnO晶体进行下述步骤的处理：1)取ZnO晶体切割出ZnO晶片；2)将切割好的ZnO晶片的－c面与由耐高温、耐腐蚀材料制成的阻挡片固连，得到ZnO籽晶片，所得的ZnO籽晶片即可利用水热法进行ZnO晶体的生长；所述阻挡片的面积应大于水热法进行生长后所得的ZnO晶体成品的－c面的面积。采用该方法可以很好地抑制ZnO晶体的－c轴方向的生长，使晶体只沿着+c轴方向生长，从而达到降低水热法生长ZnO晶体的杂质含量和减少缺陷，提高晶体的质量的目的。