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用于具有最小图案密度要求的半导体技术的电感和电容元件

摘要

本发明提供一种包括多个层的半导体器件,该半导体器件包括:具有第一主表面的衬底,在该衬底的第一主表面上制造的电感元件,该电感元件包括至少一根导线,以及在至少一层中的多个瓦面结构,其中该多个瓦面结构电连接在一起,并且布置成几何图案,以便基本上抑制在瓦面结构中由电感元件中的电流引起像电流。上述半导体器件的优点在于,通过使用这种瓦面结构,获得了品质因数改善了的电感元件。本发明还提供一种用于在包括多个层的半导体器件中提供电感元件的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN1826670B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-12-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NXP股份有限公司;

    申请/专利号CN200480021000.4

  • 申请日2004-07-15

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人王波波

  • 地址 荷兰艾恩德霍芬

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-09-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/522 授权公告日:20121205 终止日期:20130715 申请日:20040715

    专利权的终止

  • 2014-09-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/522 授权公告日:20121205 终止日期:20130715 申请日:20040715

    专利权的终止

  • 2012-12-05

    授权

    授权

  • 2012-12-05

    授权

    授权

  • 2010-08-11

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01F 17/00 公开日:20060830 申请日:20040715

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2010-08-11

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01F 17/00 公开日:20060830 申请日:20040715

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2007-11-21

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20071019 申请日:20040715

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

  • 2007-11-21

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 登记生效日:20071019 变更前: 变更后: 申请日:20040715

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

  • 2007-11-21

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20071019 申请日:20040715

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

  • 2006-10-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-10-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-08-30

    公开

    公开

  • 2006-08-30

    公开

    公开

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