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砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法

摘要

一种砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:取一砷化镓衬底;步骤2:将砷化镓衬底进行脱氧处理;步骤3:在砷化镓衬底上生长砷化镓缓冲层,以获得平整的表面;步骤4:在低温范围内生长一铟铝砷缓冲层,该铟铝砷缓冲层为一层、两层或多层结构,以达到外延生长过程晶格常数的改变;步骤5:在生长完铟铝砷缓冲层后,升高砷化镓衬底温度,进行高温热退火,释放外延层的应力。

著录项

  • 公开/公告号CN101192517A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200610144304.0

  • 申请日2006-12-01

  • 分类号H01L21/20;H01L21/336;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-12-17 20:15:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-01-27

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2008-07-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-06-04

    公开

    公开

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