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公开/公告号CN101192517A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN200610144304.0
发明设计人 高宏玲;曾一平;段瑞飞;王宝强;朱战平;崔利杰;
申请日2006-12-01
分类号H01L21/20;H01L21/336;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-17 20:15:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-01-27
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-07-30
实质审查的生效
2008-06-04
公开
机译: 具有低阈值电流的横向结带激光器-砷化镓铝和砷化镓层在砷化镓衬底上外延生长
机译: 外延堆叠结构包括在由砷化镓制成的单晶衬底上形成的缓冲层,沟道层和电子馈送层
机译: 在砷化镓衬底上外延生长具有减少的硅污染物的砷化镓层的方法
机译:通过飞秒激光脉冲ln_(0.38)Ga_(0.62)由于在照射太赫兹辐射的产生,砷化镓生长在衬底上与变质缓冲层
机译:器件兼容的砷化镓在具有薄(〜80 nm)Si_(1-x)Ge_x台阶缓变缓冲层的硅衬底上的分子束外延生长,用于高κⅢ-Ⅴ型金属氧化物半导体场效应晶体管的应用
机译:脉冲光热反射技术对砷化镓衬底上氮化砷化镓外延层的热表征
机译:逐步分级的In x inf> Ga 1-x inf> As和InGaP y inf> Sb 1-y inf>变质缓冲层的特征在砷化镓衬底上
机译:砷化镓铟和砷化镓氮化砷化铟(锑)1064 NM光电探测器和砷化镓衬底上的太阳能电池。
机译:用HVPE使用组合缓冲层在蓝宝石上制造2英寸独立的GaN衬底
机译:硅衬底上砷化镓分子束的生长及其薄膜的研究
机译:钨/石墨衬底上的砷化镓薄膜。第二阶段。薄膜砷化镓太阳电池的稳定性