Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами ln_(0.38)Ga_(0.62)As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем

摘要

Приведены результаты исследований генерации терагерцового (ТГц) излучения с помощью спектроскопии с временным разрешением в структуре с фотопроводящим слоем In_(0.38)Ga_(0.62)As. Исслсдусмая структура, выращенная методом молскулярно-лучсвой эпитаксии на подложке GaAs с помощью мстаморфного буфера, позволяет генерировать ТГц излучение с широким спектром частот (вплоть до 6 ТГц). Это связано с дополнительным вкладом фотовольтаичсского эффекта Дсмбсра в генерацию ТГц излучения. Измеренная эффективность оптико-тсрагсрцового преобразования в такой структуре составляет ~ 10~(-5) при достаточно малом оптическом флюснсс ~ 40 мкДж/см~2, что почти на два порядка выше, чем в низкотемпературном" GaAs.