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确定评估时间或读取电荷电势与读取判定电压之差的方法

摘要

针对单个存储设备通过以下方式来设置NAND存储阵列的单元的编程或擦除状态的评估时间(Teval)或读取充电电压(V1)和读取判定电压(V2)之差,即在这些设备的大量生产制造过程中至少部分地补偿阵列位线的寄生电容值的大的散布。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-06-09

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C16/26 申请公布日:20080409 申请日:20070913

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2008-04-09

    公开

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