晶片切割用胶粘带及使用该胶粘带的芯片的制造方法

摘要

本发明涉及一种在基材薄膜上设置了粘合剂层的晶片切割用胶粘带，包含2层以上的该粘合剂层，构成任一粘合剂层的树脂组合物都含有可辐射聚合的化合物，同时，构成粘合剂层中最外层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量和构成内侧粘合剂层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量不同，并达到使施加在基材薄膜上的应力被充分传递到放射线照射后的最外层以充分剥离该层和芯片的程度，本发明还提供使用该晶片切割用胶粘带的芯片的制造方法。

说明书

技术领域

本发明涉及晶片切割用胶粘带以及使用该胶粘带的芯片的制造方法。

背景技术

最近，半导体芯片的薄膜化/小芯片化的进展异常显著，特别是，存储卡或智能卡这类内置了半导体IC芯片的IC卡，要求半导体芯片的厚度为100μm以下，今后，随着这些需要的增加，上述薄膜化/小芯片化的需要进一步提高。

在背面研磨工序或蚀刻工序等中，将半导体晶片薄膜化至规定厚度后，利用切割胶带等支持固定晶片，然后能够在切割工序中被芯片化。接着，切割胶带的粘合剂层是放射线固化型的情况下，照射紫外线或电子射线等放射线后，转移到拾取工序，经过拾取、管芯焊接(ダイボンデイング)工序，安装在引线框等上。

上述一系列工序中，切割工序中通常的方法是在用切割胶带支持固定半导体晶片的状态下，利用切割刀片进行切断的刀片切断方式，但此时，由于通常将刀片转速设定为几万rpm左右，因此，刀片受到相当大的切削阻力，具有摩擦热。根据情况，有时刀片表面温度上升至100℃左右。通常，在完全切割晶片时，由于刀片切入至胶带的基材薄膜中，因此基材膜的一部分因刀片的热量而熔融，成为丝状的切割屑，从而存在露出到晶片表面的图案上的情况，如果该切割屑附着在例如电极垫上，有可能造成随后的引线接合不良。在以往那样的厚晶片的情况下，即使产生丝状的切割屑，由于也是停留在芯片侧面的程度，因此不用担心造成上述那样的金属线焊接(ワイヤボンデイ ング)不良，但由于近年来的晶片的薄膜化，丝状的切割屑容易出现在晶片表面，上述那样的问题变得更加深刻。

作为解决该问题的方法，提出了下述方法：在交联的基材薄膜上设置涂布了粘合剂的晶片加工用胶带(例如，参照专利文献1)或在基材薄膜上设置用能量线固化的粘弹性层，使由于切割引起的向切割用胶粘带的切入至粘弹性层而没有切到基材薄膜(例如，参照专利文献2)。

但是，关于前者，由于用高温状态的刀片切入基材薄膜，因此可以说晶片的厚度为100μm以下的区域未必是充分的。相对于此，关于后者的方法，由于刀片没有切入基材薄膜，不会产生上述那样的因刀片的热而使胶带熔融，从而产生丝状的切割屑的情况，但其问题在于，这时的粘弹性层最大为300μm，非常厚，并且是用能量线固化的硬层，因此，如果在切割时刀片完全切入该粘弹性层，由该粘弹性层产生细小粉状的切削屑，如果该粉状切削屑附着在图案面的电极垫上，则有可能造成金属线焊接不良，同时，由于切入硬而厚的粘弹性层，刀片的磨耗也显著，有可能造成刀片寿命降低。

专利文献1：特开平5-211234号公报

专利文献2：特开2003-7646号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明提供一种晶片切割用胶粘带以及使用该胶粘带的芯片的制造方法，所述晶片切割用胶粘带在加工晶片等被切断物时，在支持固定该被切断物时使用，其可以不实施使基材薄膜交联等特殊的处理而制造胶带，并且在切割时不产生切削屑，拾取性也优异。

解决课题的方法

本发明人等为了解决上述课题而进行悉心研究的结果发现：采用包含2层以上粘合剂层，且该粘合剂层均含有可辐射聚合的化合物，并且构成粘合剂层中最外层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量与构成内侧的粘合剂层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量不同的晶片切割用胶粘带，可以降低切割时的切削屑，且拾取性良好。

按照本发明，提供以下方案：

(1)一种晶片切割用胶粘带，其在基材薄膜上设置了粘合剂层，其中，包含2层以上的该粘合剂层，并且构成任一粘合剂层的树脂组合物都含有可辐射聚合的化合物，同时，构成粘合剂层中最外层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量与构成内侧粘合剂层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量不同，并达到使施加在基材薄膜上的应力被充分传递到放射线照射后的最外层以充分剥离该层和芯片的程度。

(2)按照(1)所述的晶片切割用胶粘带，其中，构成上述粘合剂层中最外层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量比构成内侧粘合剂层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量大。

(3)按照(1)或(2)所述的晶片切割用胶粘带，其中，构成上述粘合剂层中最外层的树脂组合物相对于100质量份丙烯酸类基础树脂，含有50～200质量份上述可辐射聚合的化合物；构成上述内侧粘合剂层的树脂组合物相对于100质量份丙烯酸类基础树脂，含有5～100质量份上述可辐射聚合的化合物。

(4)一种芯片的制造方法，包括：用(1)～(3)中任一项所述的晶片切割用胶粘带支持固定作为被切断物的晶片的工序；以刀片切入的最下部到达上述晶片切割用胶粘带的上述最外层或比它内侧的粘合剂层内部的方式切割晶片的工序；向上述晶片切割用胶粘带照射放射线，拾取被切断的芯片的工序。

发明效果

本发明的晶片切割用胶粘带可以不实施交联基材薄膜等特殊处理来制造，在切割时不产生切削屑，并且提供一种通过使用该胶带有效地制造芯片的方法。

通过与添加的附图一起考虑，由下述的记载可明确本发明的上述及其它特征和优点。

附图说明

图1是示出本发明的晶片切割用胶粘带的剖面的剖面图。

图2是示出利用刀片切割半导体晶片的工艺的说明图。

图3是示出在切割工艺中刀片切入的最下部在粘合剂层2中的状态的剖面图。

图4(a)～(c)是示出使用了本发明的切割胶带的半导体芯片的拾取工艺的剖面图，图4(a)是芯片被切断的状态的剖面图，图4(b)是用顶出支杆(突き上げピン)向上顶起的剖面图，图4(c)是示出利用吸附夹套(コレツト)进行拾取的状态的剖面图。

图5(a)～(c)是示出使用了基材薄膜上的粘合剂层为非放射线固化型粘合剂层的切割胶带时的拾取工艺的剖面图，图5(a)是芯片被切断的状态的剖面图，图5(b)是用顶出支杆向上顶起的剖面图，图5(c)是示出利用吸附夹套进行拾取的状态的剖面图。

符号说明

1：粘合剂层的最外层

2：内侧粘合剂层

3：基材薄膜

4：晶片切割用胶粘带

5：晶片

5’：芯片

6：划线

7：刀片

8：环形框架

9：固定用卡盘台(チヤツクテ一ブル)

10：吸附台

11：顶出支杆

12：吸附夹头(コレツト)

13：不含可辐射聚合的化合物的内侧的粘合剂层

14：由内侧的粘合剂层不含可辐射聚合的化合物的树脂组合物构成的晶片切割用胶粘带

15：芯片端部的剥离开端

具体实施方式

以下，详细地说明本发明。

另外，在本发明中，所谓“粘合剂”是指在粘合后可以通过施加固化等处理而剥离的物质。

如图1的剖面图所示，本发明的晶片切割用胶粘带4在基材薄膜3上依次形成内侧的粘合剂层2、粘合剂层的最外层1。如图2的立体图的说明图所示，本发明的晶片切割用胶粘带4，通过粘合剂层的最外层1被贴合在具有面包圈状的环形框架8上，再以粘合剂层的最外层1位于上侧的方式放置在固定用卡盘台9上。然后，在该粘合剂层的最外层1上贴合需细细切断的晶片5，用刀片7细细切断成芯片5’。

如图3的剖面图所示，本发明的晶片切割用胶粘带4优选以不到达基材薄膜3的方式用刀片7与芯片5’一起被细细切断。如果切割时的刀片切入的最下部超过内侧的粘合剂层2并达到基材薄膜3，则在切割时产生丝状的切削屑。在切割工序中，沿着设置在晶片5上的划线6细细切断。

在本发明中，构成与基材薄膜3相反侧的粘合剂层的最外层1的树脂组合物含有可辐射聚合的化合物，通过照射放射线降低粘合力。

但是，本发明的晶片切割用胶粘带4直到如图3所示的切割工序时都不照射放射线，晶片被充分保持。因此，在切割时，不会从固化的粘合剂层上产生细的粉状的切削屑。

在使用本发明的晶片切割用胶粘带时，图4(a)的剖面图所示的被切断的芯片5’，接着如图4(b)的剖面图所示，从晶片切割用胶粘带4的基材薄膜3的背面被顶出支杆11向上顶起，这时的应力充分传递到芯片5’上，芯片5’端部的胶带发生变形，由于该变形，在芯片5’端部产生剥离开端15。另外，由于内层的粘合剂层2也含有可辐射聚合的化合物，因此在切割工序结束后，可以宽范围地进行粘合力的控制，以使芯片端部的剥离开端1 5容易产生。接着，如图4(c)的剖面图所示，用吸附夹头12拾取被切断的芯片5’。另外，图中10是吸附台。

相对于此，如图5(a)的剖面图所示，在内侧的粘合剂层13由不含可辐射聚合的化合物的树脂组合物构成的晶片切割用胶粘带14的情况下，接着，如图5(b)的剖面图所示，即使用顶出支杆11从基材薄膜3侧向上顶起芯片5’，由顶出支杆11产生的顶出应力通过不含可辐射聚合的化合物的内侧的粘合剂层13的变形而被吸收，该应力没有传达至芯片5’，结果没有产生芯片5’端部的剥离开端，拾取性发生问题，如图5(c)的剖面图所示，有时用吸附夹头12不能拾取被切断的芯片5’。

另外，关于现有的晶片切割用胶粘带，通常是完全切入至基材薄膜。这时，基材薄膜因用于细细切断的高速旋转的刀片而熔融，产生丝状的所谓切割屑。可是，在本发明中，由于成为在基材薄膜上叠层粘合剂层的结构，并且刀片没有到达基材薄膜，因此可以不产生切割屑。

本发明中使用的可辐射聚合的化合物并没有特别限制，可以根据用途适当选择，但在本发明中，优选丙烯酸类树脂作为基础树脂。作为其例子，可举出丙烯酸类共聚物或甲基丙烯酸类共聚物(以下，有时也称为(甲基)丙烯酸类共聚物)。这时，可以使用适当配合了固化剂并且在照射放射线之前进行交联的物质。(甲基)丙烯酸类共聚物例如可举出以(甲基)丙烯酸酯为聚合物结构单位的聚合物以及(甲基)丙烯酸酯类共聚物的(甲基)丙烯酸类聚合物、或者与官能性单体的共聚物以及这些聚合物的混合物等。作为这些聚合物的分子量，通常使用重均分子量为50万～100万左右的高分子量。

固化剂用于与(甲基)丙烯酸类共聚物具有的官能团反应来调节粘合力和凝聚力。例如可列举1，3-双(N，N-二环氧丙基氨基甲基)环己烷、1，3-双(N，N-二环氧丙基氨基甲基)甲苯、1，3-双(N，N-二环氧丙基氨基甲基)苯、N，N，N，N’-四环氧丙基间苯二甲胺等分子中具有两个以上环氧基团的环氧化合物；2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-苯二甲基二异氰酸酯、1，4-苯二甲基二异氰酸酯、二苯甲烷-4，4’-二异氰酸酯等分子中具有两个以上异氰酸酯基团的异氰酸酯类化合物；四羟甲基三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷三-β-(2-甲基氮丙啶)丙酸酯等分子中具有两个以上氮丙啶基的氮丙啶类化合物等。固化剂的添加量可以根据所期望的粘合力和凝聚力来调整，相对于100质量份(甲基)丙烯酸类共聚物，优选0.1～5.0质量份。

可辐射聚合的化合物广泛使用例如可以通过光照射三维网状化的分子内至少具有两个以上光聚合性碳-碳双键的低分量化合物，优选使用重均分子量(Mw)为100～30000范围的低聚物。作为这样的化合物，可举出聚氨酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸低聚物以及衣康酸低聚物这样的具有羟基或羧基等官能团的低聚物。

其它具体地可以适用使如下物质反应得到的物质，三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯、或者作为聚氨酯丙烯酸酯类低聚物的使具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如丙烯酸2-羟乙酯、甲基丙烯酸2-羟乙酯、丙烯酸2-羟丙酯、甲基丙烯酸2-羟丙酯、丙烯酸聚乙二醇酯、甲基丙烯酸聚乙二醇酯等)与末端异氰酸酯聚氨酯预聚物反应而得到的物质，该末端异氰酸酯聚氨酯预聚物是使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物与多元异氰酸酯化合物(例如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-苯二甲基二异氰酸酯、1，4-苯二甲基二异氰酸酯、二苯甲烷-4，4-二异氰酸酯等)反应而得到的。

该可辐射聚合的化合物含有在侧链具有一个以上可辐射聚合碳-碳双键的丙烯酸类聚合物作为结构单元。所谓在侧链具有一个以上可辐射聚合碳-碳双键的可辐射聚合的化合物，是在分子内具有碳-碳双键的聚合物，例如，通过将具有一个以上碳-碳双键的化合物加聚到以丙烯酸、甲基丙烯酸的烷基酯为主要结构单元的均聚物，或者丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯和可以与其共聚的其他不饱和单体的共聚物上而获得。该聚合物优选重均分子量为1万～100万，玻璃化转变温度可以通过改变烷基酯的配合比率适宜调整。

另外，除了上述的丙烯酸酯类化合物以外，还可以使用聚氨酯丙烯酸酯类低聚物。

在本发明中，构成粘合剂层中最外层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量与构成内侧粘合剂层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量不同。通过制成这样的结构，可以使粘合剂层的最外层和内侧的粘合剂层的放射线照射后的粘合力具有差异，由于施加于基材薄膜上的应力充分传递到放射线照射后的最外层，因此可以容易地将该层和芯片剥离。优选最外层粘合剂层的组合物所含有的可辐射聚合的化合物含量比内侧粘合剂层的组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量大。通过制成这样的结构，在放射线照射后进行拾取时，与芯片接触的最外层的粘合剂层的粘合力被充分降低，可以容易剥离，另一方面，特别是进行扩张并拾取时，内侧的粘合剂层具有柔软性，可以不使粘合剂层之间剥离而进行拾取。

而且，在本发明中，使粘合剂层的最外层1的组合物中的可辐射聚合的化合物的比率比内侧的粘合剂层2的组合物中的可辐射聚合的化合物的比率大，构成粘合剂层的最外层1的树脂组合物相对于100质量份丙烯酸类基础树脂，含有50～200质量份上述可辐射聚合的化合物；构成与上述粘合剂层的最外层1相比位于内侧的内侧粘合剂层2的树脂组合物相对于100质量份丙烯酸类基础树脂，优选使上述可辐射聚合的化合物为5～100质量份。粘合剂层1的可辐射聚合的化合物的含量低并且粘合剂层2的可辐射聚合的化合物的含量多、构成粘合剂层最外层的树脂组合物中的可辐射聚合的化合物的含量比构成粘合剂层内层的树脂组合物中的可辐射聚合的化合物的含量少时，粘合剂层最外层的粘合力降低不充分，另外，粘合剂层内层稍稍变硬，所以拾取性非常差，不能说具有实用水平，晶片扩径也未达到充分的水平。

构成粘合剂层的最外层1的树脂组合物中的可辐射聚合的化合物的含量不足50质量份时，粘合力的降低不充分且有时不能对应芯片尺寸超过10mm×10mm这样的比较大的芯片的情况，即使过多，其以上的粘合力也不降低反而成本随之增加，因而不优选。

另外，构成位于粘合剂层中最外层1的内侧的内侧粘合剂层2的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量不足5质量份时，过于柔软，有时成为导致拾取性恶化、或者诱发芯片里面污染的原因。优选为10质量份以上，更优选为15质量份以上。另外，如果超过100质量份，则变硬，有时导致拾取性/膨胀性的恶化。对于粘合剂层中最外层1和内侧粘合剂层2的厚度比率，根据与上述的刀片切入深度的关系或组成构成而不同，但基本上是，粘合剂层的最外层1可以只考虑芯片的剥离性，由于左右整体硬度的是内侧的粘合剂层2，因此期望内侧粘合剂层2的厚度大于粘合剂层的最外层1的厚度。作为各个粘合剂层的厚度，内侧粘合剂层2优选为5～70μm，更优选为5～20μm。另外，粘合剂层的最外层1优选为10～80μm，更优选为15～50μm。但是，内侧粘合剂层2被固化后，设置了粘合剂层的最外层1的粘合剂层不包含在本发明的两层以上的粘合剂层中。

另外，通过照射例如紫外线等使通过这些调整而得到的粘合剂层聚合、固化时，通常使用光聚合引发剂。具体地，可使用苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻吨、十二烷基噻吨、二甲基噻吨、二乙基噻吨、苄基二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟甲基苯基丙烷等。

本发明的晶片用切割用胶粘带4的基材薄膜3只要不妨碍构成粘合剂层的树脂组合物的放射线照射即可，没有特别限制。例如，除聚氯乙烯、聚乙烯以外，还可以使用各种乙烯-醋酸乙烯共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等各种乙烯类共聚物、以及各种弹性体、聚酯、尼龙等。再者，基材薄膜3的厚度也没有限制，但从操作性等观点看，厚度通常使为30～500μm左右。

实施例

以下，基于实施例详细地说明本发明，但本发明并不限定于此。

(实施例1～9和比较例1～4)

<丙烯酸类基础树脂>

使用由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羟乙酯制成的共聚物。

<可辐射聚合的化合物>

使用通过下述方法得到的放射线固化性丙烯酸类聚合物，所述方法为：相对于100质量份使丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羟乙酯共聚而得到的聚合物，加成5质量份作为具有一个以上可辐射聚合碳-碳双键的化合物的2-异氰酸乙酯基甲基丙烯酸酯。

<粘合剂的制备>

在100质量份上述丙烯酸类基础树脂中，添加3质量份作为固化剂的多异氰酸酯化合物(日本ポリウレタン公司制造，商品名コロネ—トL)、实施例、比较例中记载的配合份数的上述可辐射聚合的化合物、和1质量份作为光聚合引发剂的α-羟基环己基苯基酮，进行混合，得到粘合剂。

<晶片切割用胶粘带的制作>

使用EMMA树脂(住友化学公司制造的商品，商品名：アクリフトWD201)，利用T型模法制作厚度100的基材薄膜，将实施例、比较例所示结构的内侧粘合剂层(粘合剂层2)和最外层的粘合剂层(粘合剂层1)依次涂布在上述基材薄膜上，并使内侧的粘合剂层的厚度为35μm、最外层的粘合剂层的厚度为10μm，得到晶片切割用胶粘带。

<评价>

将表1和表2的实施例、比较例的晶片切割用胶粘带粘贴固定在8英寸用环形框架上，在该粘贴固定的状态下，将100μm厚的8英寸硅晶片贴合在晶片切割用胶粘带上，用デイスコ公司制造的切割装置DAD340(商品名)由上向下( フルカツト)切割成5mm×5mm芯片尺寸。这时，刀片从胶带面的切入深度为表1和表2所示的深度。切割后，用高压水银灯的紫外线照射机从胶带背面侧以照射量为500mJ/cm2进行照射，紫外线照射后，使用NEC マシナリ—制造的CPS-100FM(商品名)，以12mm膨胀行程进行膨胀，在该状态下进行拾取。拾取是使用前端直径R250的顶出支杆进行的。评价项目按以下的项目实施评价。结果如表1和表2所示。

<丝状切割屑产生数>

用显微镜观察计数因切割从胶带上产生的丝状切割屑的产生数。观察是对5根划线部分进行观察。

<有无产生细的粉状切削屑>

通过显微镜观察因切割从粘合剂层产生并附着在晶片上的粉状切削屑的产生数，并确认其有无。

<拾取性评价>

使用NEC マシナリ一制造的CPS-100FM(商品名)，使膨胀行程分别为2mm和12mm，实际拾取芯片，评价芯片是否没有问题且向上顶起→用圆形夹头吸附→设置在引线框上。评价是从8英寸晶片中拾取200个芯片，评价其中有多少个芯片成功拾取。

<膨胀性>

以膨胀行程12mm进行膨胀时，观察晶片扩径率(膨胀时的晶片直径/8英寸晶圆的原始直径)以及切割胶带是否断裂。

表1

实施例1实施例2实施例3实施例4实施例5实施例6实施例7实施例8实施例9粘合剂层1可辐射聚合的化合物(质量份)10019021045150150150150150丙烯酸类粘合剂(质量份)100100100100100100100100100粘合剂层2可辐射聚合的化合物(质量份)505050351202551015丙烯酸类粘合剂(质量份)100100100100100100100100100切割时刀片从胶带面的切入深度(μm)303030303030303030丝状切割屑产生数(根)000000000有无产生细的粉状切削屑无无无无无无无无无拾取性评价200/200200/200200/200173/200191/200180/200150/200162/200170/200晶片扩径率105％104％104％105％101％106％108％107％106％胶带有无断裂无无无无无无无无无

表2

比较例1比较例2比较例3比较例4粘合剂层1可辐射聚合的化合物(质量份)1001000190丙烯酸类粘合剂(质量份)100100100(*1)100粘合剂层2可辐射聚合的化合物(质量份)50050190丙烯酸类粘合剂(质量份)100(*2)100(*3)100100切割时刀片从胶带面的切入深度(μm)30303030丝状切割屑产生数(根)0000有无产生细的粉状切削屑有：晶片上附着大量切削粉无无无拾取性评价200/2000/2007/200由于胶带断裂而不能评价晶片扩径率105％108％104％由于胶带断裂而不能评价胶带有无破断无无无胶带在划线部断裂

^*1只由丙烯酸类粘合剂构成的非放射线固化型粘合剂

^*2涂布后，涂布粘合剂层1之前照射紫外线使之固化

^*3只由丙烯酸类粘合剂构成的非放射线固化型粘合剂

根据表1～2可知如下情况。

由实施例1～3可知：既没有产生丝状切割屑、细的粉状的切削屑，拾取性也没有问题，在12mm行程的膨胀没有胶带断裂，晶片也被充分扩径。另外，在实施例4中，由于粘合剂层1的可辐射聚合的化合物的含量稍低，因此拾取性也稍低，但除此之外的项目与实施例1～3一样，没有任何问题，得到了良好的结果。在实施例6、7、8、9中，由于粘合剂层2的可辐射聚合的化合物的含量稍低，因此，拾取性稍稍降低，但除此之外的项目与实施例1～3一样，没有任何问题，得到了良好的结果。再者，在实施例5中，由于粘合剂层2的可辐射聚合的化合物的含量稍多，在紫外线照射后变硬，因此，基于膨胀的晶片扩径未必充分，在12mm行程时硬的粘合剂层进行膨胀，因而拾取性稍稍降低，但除此之外的项目与实施例1～3一样，没有任何问题，得到了良好的结果。

与此相对，在比较例1中，粘合剂层2由于预先通过照射紫外线而固化，在利用刀片切断时，粘合剂层2产生的大量的切粉附着在晶片上，不是实用的水平。在比较例2中，由于粘合剂层2没有含有放射线固化型粘合剂，在紫外线照射后也依然是柔软的状态，因此在拾取时，柔软的粘合剂层2吸收了顶出支杆11产生的上顶应力，不能完全拾取芯片。

在比较例3中，由于粘合剂层1不含有放射线固化型粘合剂，因此粘合力不降低，其结果是几乎不能拾取芯片。再者，在比较例4中，粘合剂层1和粘合剂层2的相对于丙烯酸类粘合剂的可辐射聚合的化合物的含有比率相等而且可辐射聚合的化合物的含量本身多，在紫外线照射后，两层都变得过硬，通过12mm行程的膨胀，在划线部完全断裂。

工业实用性

在加工晶片等的被切断物时，支持固定该被切断物时，可以使用本发明的晶片切割用胶粘带，另外，在使用该胶带的芯片的制造方法中，在切割时不会产生切削屑，可以有效地制造薄膜化/小芯片化的先进的半导体芯片。

虽然以该实施方式为基础说明了本发明，但认为：只要我们没有特别指定，就不是想在说明书的哪个细节中限定我们的发明，应该在不违反后面所附的权利要求书所示的发明精神和范围的基础上进行更宽的解释。