制作半导体浅槽和深槽的方法

摘要

本发明公开了一种制作半导体深槽和浅槽的方法，该方法先做深槽，在填充物填到深槽大半后，再做浅槽，同时用高致密氧化物填满深槽和浅槽，这样一方面用STI(浅槽隔离)工艺完成深槽顶部填充，可以减少深槽隔离面积，另一方面由于降低光刻套刻精度要求，同时填充深槽和浅槽，也简化了工艺难度和复杂性。