首页> 中国专利> 利用衍射效应的表面微柱阵列结构高效率发光二极管

利用衍射效应的表面微柱阵列结构高效率发光二极管

摘要

一种利用衍射效应的表面微柱阵列结构高效率发光二极管,其结构如下:在蓝宝石衬底的缓冲层上生长着N型GaN;在N型GaN层上生长着GaN有源层;在有源层上生长着P型GaN层;在P型GaN层上刻蚀出微柱阵列,该阵列可以是周期性排列的,也可以是非周期排列的二维结构;在P型GaN层上铺设有P型电极和P型焊盘;在N型GaN层上铺设有N型电极和N型焊盘。其优点是利用了光的衍射效应,通过微柱阵列使光充分导出,提高发光效率,并使发光面出光分布均匀;与采用二维光子晶体的发光二极管相比,该结构的制作工艺简单、生产成本低;与传统表面粗糙化处理的发光二极管相比,该结构的出光效率要高得多。

著录项

  • 公开/公告号CN101110461A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-01-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 欧阳征标;许桂雯;

    申请/专利号CN200710075440.3

  • 发明设计人 欧阳征标;许桂雯;

    申请日2007-07-31

  • 分类号H01L33/00;H01L51/50;H01L51/52;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 518060 广东省深圳市南山区南海大道3688号深圳大学

  • 入库时间 2023-12-17 19:41:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-10-15

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 登记生效日:20080912 申请日:20070731

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

  • 2008-03-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-01-23

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号