可控表面结构Si纳米柱阵列的制备及光学特性研究

摘要

采用纳米球刻蚀法发展针对有序Si纳米柱阵列的低成本及可控制备方法，首先运用Langmuir—Blodgett法在n—Si（100）片上制备Si02粒子单层膜，并以此为掩膜系统考察深度反应离子刻蚀及低损伤的感应耦合等离子体刻蚀对于Si纳米柱表面形貌的影响规律，并且通过控制刻蚀参数有效调控Si纳米柱阵列的尺寸、分布及表面结构。反射谱测试结果表明，si纳米柱阵列可以起到显著的减反射作用，且在400～1000nm的光谱范围内的最优光反射率约为5％。