太阳能电池硅片翘曲的解决方法

摘要

本发明提供一种太阳能电池硅片翘曲的解决方法，包括硅片清洗、硅片PN结扩散、刷电极、烧结背电场，其特征在于：在烧结背电场后，首先对硅片进行液氮冷却处理，然后对硅片进行真空干燥处理。本发明通过在烧结背电场后采取液氮冷却及真空干燥相结合的处理方法，能使翘曲的硅片恢复至平整状态，且基本不减少硅片少子的寿命，有效提高了太阳能电池的转化效率。

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池硅片的处理工艺，具体地说，涉及一种解决太阳能电池硅片翘曲的处理工艺。

背景技术

硅是制备太阳能电池最常用的半导体材料。目前，太阳能电池硅片有越作越薄的趋势，一是为了降低成本，二是为了充分发挥其背电场的优势，从而提高太阳能电池的转化效率。然而当太阳能电池硅片减薄至200μm以下时，在烧结背电场后，由于铝浆与硅的热膨胀系数不同而产生应力，致使硅片很容易发生翘曲。例如一块面积为15×15cm²、厚度为100μm的硅片，翘曲程度最高能达到12mm。翘曲严重影响了太阳能电池的组装，甚至导致电池不可用。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种太阳能电池硅片翘曲的解决方法，通过在烧结背电场后采取液氮冷却及真空干燥相结合的处理方法，能使翘曲的硅片拉平，且基本不减少硅片少子的寿命。

本发明的技术方案如下：

一种太阳能电池硅片翘曲的解决方法，包括硅片清洗、硅片PN结扩散、刷电极、烧结背电场，其特征在于：在烧结背电场后，首先对硅片进行液氮冷却处理，然后对硅片进行真空干燥处理。

在硅片清洗后，硅片PN结扩散前，还可以对硅片进行真空干燥处理。

在硅片PN结扩散后，刷电极前，还可以对硅片进行液氮冷却处理，然后对硅片进行真空干燥处理。

所述液氮冷却处理的温度为-20℃～-70℃；所述真空干燥处理的真空度为10^-2pa～10^-4pa。

本发明采用液氮冷却处理，能恢复高温对硅片造成的缺陷，释放由于热膨胀系数不同而产生的应力，使翘曲的片子自然恢复至平整状态。此外，液氮冷却处理过程还会给硅片掺进一些氮，有利于增强超薄硅片的机械强度。采用真空干燥处理能够快速去除留在硅片上的水份，与目前普遍采用的红外干燥处理方式相比，可以有效地避免红外灯烘干对少子寿命的减少，提高太阳能电池的转化效率。

附图说明

图1所示为本发明太阳能电池硅片翘曲的解决方法的一个实施例的工艺流程图。

具体实施方式

以下结合附图和实施例详细说明本发明。

如图1所示，首先对硅片进行清洗，清洗后对硅片进行真空干燥处理，真空度达到10^-2Pa时停止干燥，对硅片进行PN结扩散处理。  然后对硅片进行液氮冷却处理，处理的温度为-20℃～-70℃。由于液氮的引入不可避免地带来一些水份，因此在液氮冷却处理后对硅片进行真空干燥处理，真空度达到10^-2Pa时即可停止干燥。接着对硅片刷电极，烧结背电场。烧结背电场后，硅片会出现一定程度的翘曲。此时对硅片进行液氮冷却处理，处理温度为-20℃～-70℃，使翘曲的片子拉平，最后对硅片进行真空干燥处理即可。