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用于形成多组分介电薄膜的直接液体注入系统和方法

摘要

本发明提供了用于原子层沉积(ALD)的方法和系统。在一些实施方案中,所提供的系统包括:至少一种直接液体注入系统,其适于将一个或多个沉积前体注入到一个或多个气化室;至少一种鼓泡器系统,其适于气化一个或多个沉积前体;以及处理室,其被连接到所述直接注入系统和所述鼓泡器系统,所述处理室适于从所述直接液体注入和鼓泡器系统中接收沉积前体,并且被调整来实施ALD处理。在另外一个替代的实施方案中,所述系统由两个分开的直接液体注入系统组成。

著录项

  • 公开/公告号CN101040371A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-09-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 阿维扎技术公司;

    申请/专利号CN200580035243.8

  • 发明设计人 先崎义秀;

    申请日2005-08-16

  • 分类号H01L21/44(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人张平元;赵仁临

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 19:11:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-03-25

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-11-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-09-19

    公开

    公开

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