减少CMOS器件中的源极和漏极寄生电容

摘要

一种制造基于半导体的器件的方法，包括：提供掺杂的半导体衬底；将第二掺杂剂引入衬底中以限定pn结；和将中和物质引入pn结附近的衬底中以减少与pn结相关的电容。基于半导体的器件包括具有第一和第二掺杂剂的半导体衬底。第一和第二掺杂剂限定pn结，并且中和物质中和pn附近的第一掺杂剂的一部分以减少与pn结相关的电容。