除去光致抗蚀剂和后蚀刻残留物的气体混合物及其应用

摘要

在剥离电介质后蚀刻残留物期间，在氧气剥离等离子体中产生的原子氧与低－k介电材料反应并损坏低－k介电材料。在剥离电介质后蚀刻残留物期间，使用氢剥离等离子体，低－k介电材料的损坏更低，氢剥离等离子体具有更低的剥离率。在氢剥离等离子体中引入氧改善了光致抗蚀剂剥离率和均匀度，而维持氢气和氧气的比率避免了低－k介电材料的损坏。