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用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用

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摘要

含有一些有机溶剂和季铵化合物的组合物能够将残留物例如光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物从物品上除去，其中所述有机溶剂包含至少505重量的二醇醚。

公开/公告号CN101794088B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-04-24

原文格式PDF
申请/专利权人气体产品与化学公司;
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申请/专利号CN201010113978.0
发明设计人 M·I·埃格贝;D·G·詹宁斯;
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申请日2005-07-22
分类号G03F7/42(20060101);C11D7/32(20060101);C11D7/26(20060101);C11D7/50(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人刘健;林森
地址美国宾夕法尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:14:09

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-07-11

专利权的转移 IPC(主分类):G03F 7/42 登记生效日:20170621 变更前: 变更后: 申请日:20050722

专利申请权、专利权的转移
2013-04-24

授权

授权
2013-04-24

授权

授权
2010-09-22

实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/42 申请日:20050722

实质审查的生效
2010-09-22

实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/42 申请日:20050722

实质审查的生效
2010-08-04

公开

公开
2010-08-04

公开

公开

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1. 用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用 [P] . 中国专利： CN101794088B . 2013.04.24
2. 用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用 [P] . 中国专利： CN101794088A . 2010-08-04
3. A composition for selective etching of oxides over metals and a method for removing the residue on a metal substrate by applying the composition to the metal substrate [P] . 韩国专利： KR100693768B1 . 2007-03-12

机译：用于在金属上选择性蚀刻氧化物的组合物和通过将该组合物施加到金属基材上以除去金属基材上的残留物的方法
4. Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist [P] . IL187121A . 2013-06-27

机译：用于去除蚀刻后和灰化的光致抗蚀剂残留物和块状光致抗蚀剂的组合物
5. Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist [P] . 美国专利： US7754668B2 . 2010-07-13

机译：用于去除蚀刻后和灰化的光致抗蚀剂残留物和块状光致抗蚀剂的组合物