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CMOS工艺中射频信号的集成静电释放保护电路

摘要

本发明属于微电子学与固体电子学领域的超大规模集成电路设计,是一种CMOS工艺中实现射频信号的集成静电释放保护电路。其中的静电释放保护电路可采用传统的静电保护电路实现,设计中将由静电释放保护电路带来的寄生电容统一考虑在输入匹配电路中,由焊盘和静电释放保护电路引起的寄生电容,用于阻抗匹配的片上电容和片上电感共同构成匹配网络,从而同时实现ESD保护电路和输入输出阻抗匹配。阻抗匹配电路中的电容和电感由片上电容和电感实现。这种将静电释放保护电路和阻抗匹配集成在一起设计的方法可以很大程度的降低静电释放保护电路对射频信号的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN101009277A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-08-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN200610001710.1

  • 发明设计人 郭慧民;陈杰;

    申请日2006-01-23

  • 分类号H01L27/02;H01L23/60;H01L23/66;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人段成云

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-12-17 18:54:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-04-22

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-09-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-08-01

    公开

    公开

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