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一种非接触连续测量超导线/带材n指数均匀性的方法和装置

摘要

一种非接触连续测量超导线/带材n指数均匀性的方法和装置,其特征在于在平行带面的交流场形及小于待测区域完全穿透场的前提下,将超导线/带材置于交流背场磁场中,测量探测线圈[2-2’]和补偿线圈[3-3’]两者感应电压之差为磁滞损耗电压分量U″

著录项

  • 公开/公告号CN1963477A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-05-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院电工研究所;

    申请/专利号CN200610114358.2

  • 申请日2006-11-08

  • 分类号G01N27/00;G01R29/00;

  • 代理机构北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人关玲

  • 地址 100080 北京市海淀区中关村北二条6号

  • 入库时间 2023-12-17 18:37:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N27/00 授权公告日:20110330 终止日期:20151108 申请日:20061108

    专利权的终止

  • 2011-03-30

    授权

    授权

  • 2008-11-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-05-16

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明涉及非接触连续测量超导线/带材各部分n指数均匀性的测量方法和装置。

背景技术

零电阻现象是超导体最重要的属性之一。描述实用超导体尤其是高温超导体的电磁特性,除了临界电流特性、电磁特性(各向异性)、机械特性等外,临界电流和n指数的均匀性也是实用超导材料的重要特性。一般情况下,描述超导体的模型有两个:理想电流电压超导电性模型(1)和实际超导材料的幂指数模型(2)。

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