首页> 中国专利> 高密度槽沟金属氧化物场效应管(MOSFET)的源极接触和金属复盖方案

高密度槽沟金属氧化物场效应管(MOSFET)的源极接触和金属复盖方案

页面导航

摘要

一个槽沟金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元包含一个被源极区域环绕著的沟槽栅极，此源极区域包含在一个安排于衬底底部表面上的漏极区域上面的基体区域内。该MOSFET单元进一步包含一个在源区和基体区内开的，侧壁实际垂直于顶部表面的，并用接触金属塞填充的源体接触沟槽。

1. 高密度槽沟金属氧化物场效应管(MOSFET)的源极接触和金属复盖方案 [P] . 中国专利： CN1929149A . 2007-03-14
2. 带有增强型源极-金属接头的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应管 [P] . 中国专利： CN102623501B . 2015.06.03
3. Source contact and metal scheme for high density trench MOSFET [P] . 美国专利： US2006273380A1 . 2006-12-07

机译：高密度沟槽MOSFET的源极接触和金属方案
4. High density modular structure for power management sub circuits in silicon integrated complementary metal-oxide-semiconductor, has transistor-based capacitors connected with drain and source terminals of MOSFET [P] . ES2229947A1 . 2005-04-16

机译：硅集成互补金属氧化物半导体中用于电源管理子电路的高密度模块化结构，具有与MOSFET的漏极和源极端子相连的基于晶体管的电容器
5. FET e.g. N-type MOSFET for use in component, has conducting areas forming electric terminals with source and drain zones and extending from gate structure, where source and drain zones are contained with metallic material [P] . 法国专利： FR2976122A1 . 2012-12-07

机译：场效应管用于组件的N型MOSFET具有导电区域，导电区域形成带有源极和漏极区的电端子并从栅极结构延伸，其中源极和漏极区包含金属材料