使用可去除硬掩模制造光罩的方法

摘要

我们已经减小了光罩制造的临界尺寸偏差。向光罩衬底辐射阻挡层的图案转移基本依赖于从硬掩模的转移而不是从光刻胶的转移。在向硬掩模的图案转移过程中发生的光刻胶缩进被最小化。此外，当硬掩模材料具有与辐射阻挡层的反射特性相匹配的抗反射性能时，能够减小临界尺寸大小，并且可以改进对于硬掩模自身中的图案特征完整性。当光罩被用于半导体器件制造工艺时，留在辐射阻挡层上的抗反射硬掩模层提供了功能性。