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用于形成生长的活性P型III－V族氮化物化合物的方法

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摘要

在实施用于生长的活性P型III－V族氮化物层的方法时，将引入基板并设置于反应室中，并将其加热。接着，将氮气载气以及反应化合物送入反应室中，反应化合物包括源自第III族元素的化合物、源于氮的化合物、以及P型杂质。借此产生化学反应，以形成生长的活性P型III－V族氮化物层。

著录项

公开/公告号CN1921158A

专利类型发明专利
公开/公告日2007-02-28

原文格式PDF
申请/专利权人泰谷光电科技股份有限公司;
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申请/专利号CN200610108207.6
发明设计人李家铭;陈宗良;
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申请日2006-08-01
分类号H01L33/00;C30B29/40;C30B29/38;
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人程大军
地址中国台湾
入库时间 2023-12-17 18:16:49

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-02-11

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2007-04-25

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-02-28

公开

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