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具有鳍类型沟道区域的非易失存储装置及其制备方法

摘要

本发明提供了一种非易失存储装置及其制备方法,其通过减小每个位的面积和控制主体偏压而具有提高的集成度并/或提高的性能。该非易失存储装置可以使用至少一对鳍的外侧表面和/或上表面的表面部分作为至少一对沟道区域,该至少一对鳍从主体突出并彼此间隔开地沿一个方向延伸。至少一个控制栅电极可以形成来跨过该沟道区域,并且至少一对存储节点可以插入在控制栅电极和沟道区域之间的至少一个部分。

著录项

  • 公开/公告号CN1901201A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-01-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200610108020.6

  • 申请日2006-07-24

  • 分类号H01L27/105;H01L27/115;H01L21/8239;H01L21/8247;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 18:12:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-07-14

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L27/105 公开日:20070124 申请日:20060724

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2008-07-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-01-24

    公开

    公开

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