法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-07-14
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L27/105 公开日:20070124 申请日:20060724
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-07-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-01-24
公开
公开
机译: 一种具有p沟道类型作为存储单元的非易失半导体存储器件。
机译: 电子单元例如芯片卡,定制执行方法,涉及将主密钥存储在电子单元的易失性存储单元中,将多样化的密钥存储在非易失性存储单元中,并删除具有主密钥的易失性单元区域
机译: 具有p沟道和n沟道晶体管的半导体装置具有漂移路径至少具有与沟道类型相反的区域并且漂移路径中互补对称的区域的漂移路径的晶体管。