不需要poly2的用于掩埋条形窗形成的凹陷环状蚀刻

摘要

一种制作沟道式电容器的方法，通过减少沉积的多晶硅层的数目来实现所述方法，所述沟道式电容器在掩埋条形窗中具有减小的电阻，应用于例如动态随机存取存储器电路的存储电路中。所述方法包括：沉积环状材料，之后干法蚀刻环状材料。从顶部区域蚀刻掉环状材料，在填充沟槽底部的第一多晶硅层的表面和去除了环状材料的上部区域之间，在沟槽壁上留下一层环状材料。在蚀刻掉环状材料之后，沉积第二多晶硅层，以便与其它元件接触。